Вас интересуют датчики?Свяжитесь со мной.
20110910· 2. Структуры на основе кремния на изоляторе (КНИ). 3. Структуры на основе A2 B6 / SiO2 / Si. 4. Квантово размерные структуры на основе кремния. 5. Структуры на основе аморфного кремния (aSi:H ). 6. Алмазы ...
Они состоят из слоя аморфного кремния или тонкопленочного чувствительного элемента из оксида ванадия (v), подвешенного на мостике из нитрида …
Discuss; VYPSYNLAJGMNEJUHFFFAOYSAN silicium dioxide Chemical compound data:image/svg+xml;base64,PD94bWwgdmVyc2lvbj0nMS4wJyBlbmNvZGluZz0naXNvLTg4NTktMSc ...
Новый тип датчика на основе пористого кремния и уникальный процесс металлизации может ...
20200707· Во Вселенной существуют миллиарды планет, которые теоретически могут поддерживать жизнь. Но до сих пор мы ...
20170320· При проектировании газопроводов определяют диаметр труб на основе значений расчётного расхода газа и удельных потерь давления [2]. Весь путь разбивается на участки с неизменным расходом газа. Для каждого участка опр
Разработана физическая модель датчика скорости нагретого газового потока в составе пиро ...
20150903· Формат файла: MS Word . 1,04 Мб. Опубликовано: 20150903. Поделись с друзьями: Все учебные пособия по геологии. Скачать учебное пособие Читать текст online Посмотреть все учебные пособия. Вы можете узнать стоимость помощи в написа�
Моделирование физических процессов в мощных многослойных структурах на основе карбида кремния Библиотека диссертаций
20141105· Полупроводниковые чувствительные элементы датчиков давлений на основе структуры "кремнийнадиэлектрике" автореферат диссертации на тему Технология приборостроения . Техносфера библиотека технических наук, авто
Это выходное напряжение термобатареи датчика сначала калибруется, чтобы связать его с тепловым потоком. ... На выходе пары термопар будет напряжение, которое прямо пропорционально разнице температур в слое термичес�
D — TEXTILES; PAPER; D21 — PAPERMAKING; PRODUCTION OF CELLULOSE; D21H — PULP COMPOSITIONS; PREPARATION THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASSES D21C OR D21D; IMPREGNATING OR COATI
20031105· На основе анализа литературы выявлены конструктивные схемы кремниевых ММГ камертонного, планарного, карданового и роторного типов, …
20091224· Расчет и проектирование диода на основе кремния. Вид работы: Курсовая работа (т) Предмет: Информатика, ВТ, телекоммуникации. Язык: Русский , Формат файла: MS Word. 920,83 kb. Опубликовано: 20091224. Поделись с друзьями: Все курсовы�
20150515· На основе фотодиодов возможно создание фотоприёмных устройств (ФПУ) различного назначения, работающих в широком диапазоне модуляции оптического сигнала от приема постоянных и медленно изменяющихся потоков до при
Механохимические аспекты активации и получение керамических материалов на основе ...
автореферат диссертации по машиностроению и машиноведению, , диссертация на тему: Физикохимические методы характеризации и технология материалов на …
Инфракрасные датчики SMTIR99xx компании Smartec – сложные устройства, сделанные на основе кремния. Они предназначены для воспринятия теплового излучения в диапазоне волн от 0,5 до 25 мкм. Если необходимо принимать излучение ...
Почему термобатареи нет в наличии Edit: Шэньчжэнь Xin Da xing Electric Technology Co., ltd. UpDate:Mar 23, 2020 Термопары обычно соединены последовательно, иногда параллельно, что является термобатареей.
20191217· Пламя на основе водорода, аммиака и углеводородов. Тонкопленочные пластики, такие как полиэстер, акрил и тефлон, эпоксидная смола и окрашенные поверхности. Газообразные продукты горения с высокой температурой, плам�
Установлен характер зависимости освещенности ПЗСматрицы от коэффициента формы исследуемого модуля датчика скорости, от его мощности излучения и температуры.
Механизмы стабилизации фотолюминесценции квантоворазмерных структур на основе кремния и ...
Изобретение относится к устройствам дифракционных периодических микроструктур для видимого диапазона, выполненным на основе пористого кремния. Техническим результатом изобретения является создание ...
На основе этого термодатчика можно сделать простой регулятор температуры, добавив компаратор с регулируемым или фиксированным порогом срабатывания и силовой ключ (оптосимистор, реле …), который будет включать нагр
20131027· Sentaurus Process (SProcess) основное приложение, предназначенное для одно, двух и трехмерного моделирования технологических процессов для структур на основе кремния или различных сложных полупроводников. Прежде всего ...